固體電子學(xué)基礎(chǔ) 考試大綱
科目代碼：838
第一部分考試說明
一、考試性質(zhì)
全國(guó)碩士研究生入學(xué)考試是為高等學(xué)校招收碩士研究生而設(shè)置的。它的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)是高等學(xué)校優(yōu)秀本科畢業(yè)生能達(dá)到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有較好的固體電子學(xué)知識(shí)基礎(chǔ)并有利于在專業(yè)上擇優(yōu)選拔。
二、考試的學(xué)科范圍
考試內(nèi)容包括：固體物理和半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識(shí)
考查要點(diǎn)詳見本綱第二部分。
三、評(píng)價(jià)目標(biāo)
本課程考試的目的是考察考生對(duì)固體物理學(xué)的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎(chǔ)知識(shí)解決固體物理領(lǐng)域相關(guān)問題的能力。
四、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)
1答卷方式：閉卷，筆試。
2 答題時(shí)間：180分鐘。
3 各部分內(nèi)容的考查比例：滿分 150 分
固體物理部分：
晶體結(jié)構(gòu)、倒易點(diǎn)陣與晶體衍射15%；
晶格振動(dòng)及熱學(xué)性質(zhì)15%；
固體電子能帶論20%
半導(dǎo)體物理部分：
半導(dǎo)體導(dǎo)電性15%；
非平衡載流子10%；
pn結(jié)和異質(zhì)結(jié)10%；
金半接觸及MIS結(jié)構(gòu)10%；
半導(dǎo)體的光電性質(zhì)5%
4 題型比例
名詞解釋 25；
作圖及說明題 30；
簡(jiǎn)答題 30；
計(jì)算題（含證明題）40；
論述題 25
第二部分考查要點(diǎn)
固體物理部分：
1 晶體結(jié)構(gòu)、倒易點(diǎn)陣與晶體衍射
晶格結(jié)構(gòu)的周期性與對(duì)稱性：初基晶胞、慣用晶胞，晶向與晶面指數(shù)；立方晶系的基本性質(zhì)；典型的晶體結(jié)構(gòu)包括：NaCl、CsCl、 金剛石、閃鋅礦和hcp等；倒易點(diǎn)陣，布里淵區(qū)；布喇格方程與勞厄條件，結(jié)構(gòu)因子與原子形狀因子。
2. 晶格振動(dòng)及熱學(xué)性質(zhì)
一維單原子鏈與雙原子鏈的振動(dòng)方程、簡(jiǎn)正模式，光學(xué)支與聲學(xué)支色散關(guān)系、長(zhǎng)波近似；點(diǎn)陣振動(dòng)的量子化—聲子，晶格振動(dòng)的模式密度；固體熱容的德拜模型與愛因斯坦模型；非簡(jiǎn)諧效應(yīng)與晶格振動(dòng)的熱導(dǎo)率，聲子碰撞的U過程和N過程。
3.固體電子能帶論
布洛赫定理；近自由電子模型，能隙的起因；能帶計(jì)算的緊束縛模型；布洛赫電子的平均速度、加速度與有效質(zhì)量；金屬、半金屬、半導(dǎo)體和絕緣體能帶結(jié)構(gòu)的基本特點(diǎn)。
半導(dǎo)體物理部分：
1 半導(dǎo)體導(dǎo)電性
狀態(tài)密度；費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布；本征半導(dǎo)體的載流子濃度；雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度；一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布；簡(jiǎn)并半導(dǎo)體；電子占據(jù)雜質(zhì)能級(jí)的概率；載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和遷移率；載流子的散射；遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；玻耳茲曼方程、電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論；強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)、熱載流子；多能谷散射、耿氏效應(yīng)。
2 非平衡載流子
非平衡載流子的注入與復(fù)合；非平衡載流子的壽命；準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；復(fù)合理論；陷阱效應(yīng)；載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；載流子的漂移擴(kuò)散，愛因斯坦關(guān)系式；連續(xù)性方程式；硅的少數(shù)載流子壽命與擴(kuò)散長(zhǎng)度。
3 pn結(jié)及異質(zhì)結(jié)
pn結(jié)及其能帶圖；pn結(jié)電流電壓特性；pn結(jié)電容；pn結(jié)擊穿；pn結(jié)隧道效應(yīng)；半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖；半導(dǎo)體異質(zhì)pn結(jié)的電流電壓特性及注入特性；半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)與特性；半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)；GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體超晶格。
4 金半接觸及MIS結(jié)構(gòu)
金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖；金屬半導(dǎo)體接觸整流理論；少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸；表面態(tài)；表面電場(chǎng)效應(yīng)；MIS結(jié)構(gòu)的C–V特性；硅–二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)；表面電導(dǎo)及遷移率；表面電場(chǎng)對(duì)pn結(jié)特性的影響。
5 半導(dǎo)體的光電性質(zhì)
半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)；半導(dǎo)體的光吸收；半導(dǎo)體的光電導(dǎo)；半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)；半導(dǎo)體發(fā)光；半導(dǎo)體激光；半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)在光電子器件中的應(yīng)用。
原文標(biāo)題：2020-2021年碩士研究生招生考試新增或有變更的考試科目大綱
原文鏈接：http://gszs.hust.edu.cn/info/1090/2995.htm
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